在了解（jiě）5V单片机（jī）驱动mos管电路之前，先了（le）解（jiě）一下（xià）单片机驱（qū）动（dòng）mos管电路图及原理（lǐ），单片机（jī）驱动mos管电路（lù）主（zhǔ）要根据MOS管要驱动什么东（dōng）西（xī），要只是一（yī）个继（jì）电器之类的小负载（zǎi）的话直接（jiē）用51的引脚驱动就（jiù）可（kě）以，要注（zhù）意电感类负载要（yào）加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的（de）MOS。

如果驱动（dòng）的东西(功率)很大，(大电流、大电压的场合)，最好要做电气隔（gé）离、过流（liú）超压保护（hù）、温度保（bǎo）护（hù）等……此（cǐ）时既要隔离传送控（kòng）制信号（hào）(例（lì）如PWM信号)，也要给驱动级(MOS管的推动（dòng）电路（lù）)传送电能。常用（yòng）的信（xìn）号（hào）传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的（de）传送可以用（yòng）DC-DC模块。如（rú）果是做产品的话（huà）建议自（zì）己搞一（yī）个（gè）建议的DC-DC，这样可（kě）以降低（dī）成（chéng）本。然（rán）后MOS管有一种简单的驱动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与（yǔ）PNP一个用于（yú）MOS开启（qǐ）驱动，一（yī）个用于MOS快速（sù）关断。
图一：适合开关频率不（bú）高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2、R3大小由（yóu）V+决定，V+越高，R2、R3越（yuè）大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和（hé）R3的分（fèn）压VPP=V+ 减（jiǎn）10V，同（tóng）时（shí）V+不（bú）能大于40V。

补充：图二：适合高频（pín）大功率场（chǎng）合，到达100KHz没（méi）问题，同时可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要（yào）满足（zú）和（hé）图一一样的条件，其实就是图一（yī）加了级（jí）推挽，这样就可以保证MOSFET管（guǎn）高速开关，上面6P小电（diàn）容是发射结结电（diàn）容补偿电容，可以改善（shàn）三极（jí）管高速开关特性。

另外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的（de）时候应该把它当成一个容（róng）抗（kàng）负载来（lái）看。

MOS管驱（qū）动电（diàn）路

在使用MOS管设计开关电源或（huò）者（zhě）马达驱动电路的时候，大部分（fèn）人都会（huì）考虑MOS的导通电阻，最大（dà）电压等，最（zuì）大电（diàn）流等，也（yě）有（yǒu）很多（duō）人仅仅（jǐn）考虑（lǜ）这些因素。这样的电路（lù）也许是可（kě）以（yǐ）工作的，但并不是优秀的，作为正式的产（chǎn）品设计也是不允许的。

MOS管导（dǎo）通特性

导通的意思是作为开关（guān），相当于开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的（de）值就会导（dǎo）通，适合用于源极接地（dì）时的情况(低端驱动（dòng）)，只要栅极电压达到4V或10V就（jiù）可以了。PMOS的特性：Vgs小于（yú）一定的值就会导通（tōng），适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然（rán）PMOS可以（yǐ）很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻（zǔ）大，价格贵，替换（huàn）种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使（shǐ）用NMOS。

MOS开关管（guǎn）损失

MOS管驱动电路不（bú）管是（shì）NMOS还是PMOS，导通后（hòu）都有导通电（diàn）阻存在，这（zhè）样电（diàn）流（liú）就会在这个电阻（zǔ）上消耗能量（liàng），这部分消耗（hào）的能（néng）量（liàng）叫做导（dǎo）通损（sǔn）耗。选择导通电阻小的MOS管会减（jiǎn）小导通损耗。现（xiàn）在的小功率MOS管导通（tōng）电阻一般（bān）在（zài）几十毫欧左右，几毫欧的也有（yǒu）。

MOS在导通和截止（zhǐ）的时候，一（yī）定不是在瞬间完（wán）成的。MOS两端的电压有（yǒu）一（yī）个下降（jiàng）的过程，流过的电流有（yǒu）一个（gè）上升的过（guò）程（chéng），在（zài）这段时间内，MOS管的损失是电压和（hé）电流的乘积（jī），叫做（zuò）开关（guān）损失。通常开（kāi）关损失比导通损失大（dà）得多，而（ér）且开关频（pín）率（lǜ）越快，损失也越大。

导通瞬间电（diàn）压（yā）和电流（liú）的乘积很（hěn）大，造（zào）成的损失也就很大（dà）。缩短开（kāi）关（guān）时间，可以（yǐ）减小（xiǎo）每（měi）次（cì）导通时的损失;降低（dī）开（kāi）关频率，可以减小单位时（shí）间内的开（kāi）关次数。这两种办法都可以减（jiǎn）小开关损失（shī）。

MOS管（guǎn）驱（qū）动

跟（gēn）双极性晶体管相（xiàng）比，一般认为使MOS管导通不需要电（diàn）流，只要GS电压高（gāo）于一（yī）定（dìng）的值，就可以了。这个（gè）很容易做（zuò）到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看（kàn）到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容（róng）的充放电（diàn）。对电容的充电需要一个电流，因（yīn）为（wéi）对（duì）电（diàn）容充电瞬间可以把电容（róng）看（kàn）成短路，所以（yǐ）瞬间电流会比（bǐ）较大。选择/设计MOS管驱动时（shí）第一要注（zhù）意的是可提（tí）供（gòng）瞬间短路电流的大小。

MOS管驱动电路第（dì）二（èr）注（zhù）意的是，普（pǔ）遍（biàn）用于高端驱动的（de）NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高（gāo）端驱动的MOS管导通时源极电压与漏（lòu）极电压(VCC)相（xiàng）同，所以（yǐ）这时栅极电（diàn）压要比VCC大4V或（huò）10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电（diàn）路（lù）了。很多马达驱动器都集成（chéng）了电荷泵，要注意的是应该 选择合适的外接（jiē）电容，以得（dé）到足（zú）够的短（duǎn）路电流（liú）去驱动（dòng）MOS管。

上边说（shuō）的4V或10V是常用的（de）MOS管的（de）导通电压，设计时当（dāng）然需要有一定的（de）余量。而（ér）且电压越高，导（dǎo）通速度（dù）越快，导通电阻也越（yuè）小。现在也（yě）有导通电（diàn）压更（gèng）小的MOS管用（yòng）在不同的领域里，但在（zài）12V汽车电（diàn）子系统里，一般4V导通就够用了。MOS管的驱（qū）动（dòng）电路及其损失，可以参考Microchip公（gōng）司的AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲述得很（hěn）详细，所以不打算多（duō）写（xiě）了。

MOS管应用电（diàn）路

MOS管最显著的特性是开关（guān）特性好，所以（yǐ）被广泛应用（yòng）在（zài）需要电子开（kāi）关的电路中（zhōng），常见的如开关电源和马达（dá）驱动，也有（yǒu）照明（míng）调光。

二、现（xiàn）在的MOS驱动，有（yǒu）几个特（tè）别的应用：

1、低压应（yīng）用当使（shǐ）用5V电源，由于（yú）三极管（guǎn）的be有（yǒu）0.7V左右的压（yā）降，导致实际最终（zhōng）加在gate上的电（diàn）压只有4.3V。这时（shí）候（hòu），我们选用标称gate电（diàn）压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问（wèn）题也发（fā）生在使（shǐ）用3V或者其他（tā）低压电源的场合。

2、宽电（diàn）压应用输入电（diàn）压并不是（shì）一（yī）个固（gù）定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导（dǎo）致（zhì）PWM电路提供给MOS管的驱动电（diàn）压是不稳定的。为了让MOS管在高（gāo）gate电压（yā）下安全，很多MOS管内置了稳压管强行（háng）限制gate电压的幅值。在（zài）这种情况（kuàng）下，当（dāng）提供（gòng）的驱动电压超（chāo）过（guò）稳压（yā）管的电（diàn）压，就会引起较大的静态功耗。同时（shí），如果简单的用（yòng）电阻分压的（de）原理降低gate电压，就会出现输（shū）入电压比（bǐ）较高的时候，MOS管工作良好（hǎo），而（ér）输入电压降低的时候gate电压不足（zú），引起（qǐ）导（dǎo）通不（bú）够彻底，从而增加功耗。

3、双电压应用在一些控制（zhì）电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而（ér）功（gōng）率部分（fèn）使用12V甚至更高的电压。两（liǎng）个（gè）电压采（cǎi）用共（gòng）地方式（shì）连接。MOS管驱动电路（lù）。这就提出一个要求，需要使用（yòng）一（yī）个（gè）电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧（cè）的（de）MOS管也同（tóng）样会面对1和2中提到（dào）的问题。